檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "Lithography".ekeyword (精準) and cdept.raw="電機工程系"
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在現代的科技蓬勃發展下，半導體製造進入了次10 奈米的技術節點，關鍵尺寸的微小化使得下一世代微影技術被迫切地需要，其中，團鏈共聚物定向自組裝微影技術已經證明其用於製作導通孔的可能性。除此之外，後佈局…
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多電子束微影 (Multiple E-beam Lithography) 作為最有希望的次世代微影技術(Next Generation Lithography)，可用來解決傳統電子束的低產量問題。在…
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由於下一代微影技術的延遲，對於現今10 奈米的製程節點，多 圖樣微影技術仍然是突破微影極限的主要方案。在本篇論文中，我們 提出一個保證連通層可分解性之三圖樣微影感知的細部繞線器。在此 研究中，繞線器…
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由於下個世代的微影技術發展嚴重落後，多重圖案微影技術被視為最有展望能突破20 奈米限制的技術。自動對準多圖案微影技術(self-aligned multiple patterning)透過間隙壁(s…
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隨著現代積體電路的複雜度不斷增加與製程節點的演進，電路可製造性在現代微影(Lithography)製程中正遭遇許多困難。次級解析輔助特徵圖案(SRAF) 擺置與光學鄰近修正(OPC)等重要的解析度增…
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